文献
J-GLOBAL ID:201802280772289061
整理番号:18A0973525
ALD窒化チタンバッファ層の挿入によるHfO_xベースRRAMデバイス変動の改善【JST・京大機械翻訳】
Improvement of HfOx-Based RRAM Device Variation by Inserting ALD TiN Buffer Layer
著者 (7件):
Fang Yichen
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Yu Zhizhen
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Wang Zongwei
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Zhang Teng
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Yang Yuchao
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Cai Yimao
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Huang Ru
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
6
ページ:
819-822
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)