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文献
J-GLOBAL ID：201802281224708607
整理番号：18A0706599
先進成形プロセスによる優れた短チャネル効果免疫を持つ新しいGaA Siナノワイヤp-MOSFET【JST・京大機械翻訳】
Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process
Zhang Qinzhu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Yin Huaxiang
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Meng Lingkuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Yao Jiaxin
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Li Junjie
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Wang Guilei
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Li Yudong
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wu Zhenhua
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Xiong Wenjuan
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Yang Hong
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Tu Hailing
(State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, GRINM, Beijing, China)
,
Li Junfeng
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Zhao Chao
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Wenwu
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China)
,
Ye Tianchun
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 4 ページ： 464-467 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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