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文献
J-GLOBAL ID：201802281310975361
整理番号：18A0821856
大面積CdTe/n+-Siエピタキシャル層ベースのヘテロ接合ダイオード型ガンマ線検出器アレイの開発【JST・京大機械翻訳】
Development of Large-Area CdTe/n+-Si Epitaxial Layer-Based Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detector Arrays
Niraula M.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Yasuda K.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Kojima M.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Kitagawa S.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Tsubota S.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Yamaguchi T.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Ozawa J.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Agata Y.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65 号： 4 ページ： 1066-1069 発行年： 2018年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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