文献
J-GLOBAL ID:201802281566246620
整理番号:18A2242798
酸化物としてHfO2を有するβ-Ga2O3系金属-酸化物-半導体フォトダイオード
β-Ga2O3-based metal-oxide-semiconductor photodiodes with HfO2 as oxide
著者 (7件):
OSHIMA Takayoshi
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
HASHIKAWA Makoto
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
TOMIZAWA Sansei
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
MIKI Kazuho
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
OISHI Toshiyuki
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp. & Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp. & Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
11
ページ:
112202.1-112202.4
発行年:
2018年11月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)