文献
J-GLOBAL ID:201802281653035728
整理番号:18A0163789
EMI発生を減少させるためのSiC MOSFETの反復制御戦略【Powered by NICT】
Repetitive control strategy of SiC MOSFET to reduce EMI generation
著者 (3件):
Wang Yuchen
(Beihang University, Beijing, China)
,
Ma Qishuang
(Beihang University, Beijing, China)
,
Cui Tongkai
(Beihang University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IECON
ページ:
1464-1469
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)