文献
J-GLOBAL ID:201802282471871132
整理番号:18A1510179
RF反応性スパッタリングにより蒸着したV2O5薄膜の点欠陥構造とガス検知特性【JST・京大機械翻訳】
Point Defect Structure and Gas Sensing Properties of V2O5 Thin Films Deposited by RF Reactive Sputtering
著者 (1件):
Schneider Krystyna
(AGH Department of Electronics, University of Science and Techology Faculty of Computer Science, Electronics and Telecommunications, Krakow, Poland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
COE
ページ:
1-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)