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文献
J-GLOBAL ID：201802282512750809
整理番号：18A0000057
BiFeO3薄膜の漏れ電流と強誘電特性に及ぼす遷移金属(Cu,Zn,Mn)ドーピングの影響
Effects of transition metal (Cu, Zn, Mn) doped on leakage current and ferroelectric properties of BiFeO3 thin films
YANG Shiju
(Shandong Jianzhu Univ., Jinan, CHN)
,
ZHANG Fengqing
(Shandong Jianzhu Univ., Jinan, CHN)
,
XIE Xiaobin
(Advanced Ceramics Inst. of Zibo New & High-Tech Industrial Dev. Zone, Zibo, CHN)
,
GUO Xiaodong
(Shandong Jianzhu Univ., Jinan, CHN)
,
ZHANG Liping
(Shandong Jianzhu Univ., Jinan, CHN)
,
FAN Suhua
(Shandong Jianzhu Univ., Jinan, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 20 ページ： 14944-14948 発行年： 2017年10月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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