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文献
J-GLOBAL ID：201802283049398176
整理番号：18A0849751
酸化バナジウム薄膜の圧電抵抗特性の評価【JST・京大機械翻訳】
Evaluation of piezoresistive property of vanadium oxide thin film
Inomata Naoki
(The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Van Toan Nguyen
(The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Toda Masaya
(The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
,
Ono Takahito
(The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： MEMS ページ： 1044-1047 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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