文献
J-GLOBAL ID:201802283120193902
整理番号:18A1620745
横方向電界めっきしたGa_2O_3MOSFETにおける1.85kV絶縁破壊電圧【JST・京大機械翻訳】
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs
著者 (3件):
Zeng Ke
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
,
Vaidya Abhishek
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
,
Singisetti Uttam
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
9
ページ:
1385-1388
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)