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J-GLOBAL ID：201802283264769484 整理番号：18A1378059

19-1:招待論文:スパッタ非晶質タングステンドープ酸化インジウムベース薄膜トランジスタの安定性【JST・京大機械翻訳】

19-1: Invited Paper: Stability of Sputtered Amorphous Tungsten-doped Indium Oxide Based Thin-Film Transistors

著者 (6件)：

Zhang Qun

(Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, 200433, China)

Yang Zhao

(Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, 200433, China)

Qu Mingyue

(Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, 200433, China)

Fu Ruofan

(Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, 200433, China)

Liu Po-Tsun

(Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsin-Chu, 30010, Taiwan)

Shieh Han-Ping D.

(Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsin-Chu, 30010, Taiwan)

資料名：

Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display) (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))

巻： 49 号： 1 ページ： 225-227 発行年： 2018年
JST資料番号： E0907A ISSN： 0097-966X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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