文献
J-GLOBAL ID:201802283310315214
整理番号:18A0706408
同時紫外線と熱処理を用いた150°Cで作製した全スパッタ酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
All-sputtered oxide thin-film transistors fabricated at 150 °C using simultaneous ultraviolet and thermal treatment
著者 (6件):
Tak Young Jun
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea. hjk3@yonsei.ac.kr)
,
Kim Si Joon
,
Kwon Sera
,
Kim Hee jun
,
Chung Kwun-Bum
,
Kim Hyun Jae
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
6
号:
2
ページ:
249-256
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)