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文献
J-GLOBAL ID：201802283601979457
整理番号：18A1768115
スパッタInGaZnOに基づく高性能フレキシブルSchottkyダイオード【JST・京大機械翻訳】
High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
Du Lulu
(Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
,
Zhang Jiawei
(School of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester, Manchester, U.K.)
,
Li Yunpeng
(Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
,
Xu Mingsheng
(Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
,
Wang Qingpu
(Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
,
Song Aimin
(Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
,
Xin Qian
(Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 10 ページ： 4326-4333 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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