文献
J-GLOBAL ID:201802283652012074
整理番号:18A0706626
窒化に基づく終端を有する高電圧および高I_ON/I_OFF垂直GaN-on-GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
High-Voltage and High- $I_{¥text {ON}}/I_{¥text {OFF}}$ Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diode With Nitridation-Based Termination
著者 (3件):
Han Shaowen
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Yang Shu
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
,
Sheng Kuang
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
39
号:
4
ページ:
572-575
発行年:
2018年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)