文献
J-GLOBAL ID:201802283988492260
整理番号:18A1769968
増強モードGaNデバイスのスイッチング性能に及ぼすp-GaN層ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of p-GaN layer Doping on Switching Performance of Enhancement Mode GaN Devices
著者 (2件):
Mahajan Dhawal
(Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, Australia)
,
Khandelwal Sourabh
(Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, Australia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
COMPEL
ページ:
1-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)