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文献
J-GLOBAL ID：201802284285306817
整理番号：18A0911021
SiC/SiO2界面近くのC=C欠陥について第一原理研究:二重結合飽和による欠陥保護
First-principles study on C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double-bond saturation
TAJIMA Nobuo
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
TAJIMA Nobuo
(Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN)
,
KANEKO Tomoaki
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
KANEKO Tomoaki
(Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN)
,
YAMASAKI Takahiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
YAMASAKI Takahiro
(Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN)
,
NARA Jun
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
NARA Jun
(Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN)
,
SCHIMIZU Tatsuo
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KATO Koichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OHNO Takahisa
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
OHNO Takahisa
(Materials Res. Consortium for Energy Efficient Electronic Devices (MARCEED), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FR09.1-04FR09.4 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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