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文献
J-GLOBAL ID：201802284315446653
整理番号：18A1687840
金属-半導体接合特性を調整するための電子-フォノン相互作用:超低ポテンシャル障壁と低い非熱電子放出【JST・京大機械翻訳】
Electron - Phonon interaction to tune metal - Semiconductor junction characteristics: Ultralow potential barrier and less non-thermionic emission
Bhattacharjee Swarupananda
(School of Materials Science and Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
,
Dey Arka
(Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
,
Dey Sayan
(School of Materials Science and Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
,
Roychowdhury Anirban
(UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kolkata Centre, III/LB-8, Bidhannagar, Kolkata, 700098, India)
,
Ray Partha P.
(Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
,
Das Dipankar
(UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kolkata Centre, III/LB-8, Bidhannagar, Kolkata, 700098, India)
,
Das Gopes C.
(Department of Metallurgical and Materials Engineering, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
,
Ghosh Chandan K.
(School of Materials Science and Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 547 ページ： 101-110 発行年： 2018年
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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