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文献
J-GLOBAL ID：201802284540368044
整理番号：18A1212737
p型Bi0.48Sb1.52Te3におけるバイポーラおよび格子熱伝導率に及ぼす置換Pbドーピングの効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of Substitutional Pb Doping on Bipolar and Lattice Thermal Conductivity in p-Type Bi0.48Sb1.52Te3
Kim Hyun-sik
(Materials R&D Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon 16419, Korea)
,
Lee Kyu Hyoung
(Department of Nano Applied Engineering, Kangwon National University, Chuncheon 24341, Korea)
,
Yoo Joonyeon
(Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Korea)
,
Youn Jehun
(Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Korea)
,
Roh Jong Wook
(Materials R&D Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon 16419, Korea)
,
Kim Sang-il
(Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Korea)
,
Kim Sung Wng
(Department of Energy Science, Sungkunkwan University, Suwon 16419, Korea)
資料名：
Materials (Web)
(Materials (Web))
巻： 10 号： 7 ページ： 763 発行年： 2017年
JST資料番号： U7237A ISSN： 1996-1944 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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