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文献
J-GLOBAL ID：201802284838716970
整理番号：18A0795155
大きな結晶粒とU字形Ga分布を持つCu欠乏CIGS薄膜を作製するためのCuリッチCIGS薄膜のGa_2Se_3処理【JST・京大機械翻訳】
Ga2Se3 treatment of Cu-rich CIGS thin films to fabricate Cu-poor CIGS thin films with large grains and U-shaped Ga distribution
Peng Xiao
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhao Ming
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhuang Daming
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Sun Rujun
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhang Leng
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Wei Yaowei
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Lv Xunyan
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Wu Yixuan
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Ren Guoan
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 152 ページ： 184-187 発行年： 2018年
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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