文献
J-GLOBAL ID:201802285092068841
整理番号:18A1334310
MBE成長β-Ga2O3横方向深紫外検出器におけるゼロバイアス応答性の実証
Demonstration of zero bias responsivity in MBE grown β-Ga2O3 lateral deep-UV photodetector
著者 (8件):
SINGH PRATIYUSH Anamika
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
,
KRISHNAMOORTHY Sriram
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
KRISHNAMOORTHY Sriram
(Univ. Utah, UT, USA)
,
KUMAR Sandeep
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
,
XIA Zhanbo
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
MURALIDHARAN Rangarajan
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
,
RAJAN Siddharth
(Ohio State Univ., OH, USA)
,
NATH Digbijoy N.
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
6
ページ:
060313.1-060313.5
発行年:
2018年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)