文献
J-GLOBAL ID:201802285375424867
整理番号:18A0917623
面内X線回折法による4H-SiC(0001)表面の熱酸化誘起局所格子歪
Thermal-oxidation-induced local lattice distortion at surface of 4H-SiC(0001) characterized by in-plane X-ray diffractometry
著者 (3件):
HATMANTO Adhi Dwi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HATMANTO Adhi Dwi
(Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, IDN)
,
KITA Koji
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
11
号:
1
ページ:
011201.1-011201.4
発行年:
2018年01月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)