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文献
J-GLOBAL ID：201802285718147838
整理番号：18A1210257
電気ストレスエージング後のSOI技術におけるバンドギャップの伝導免疫【JST・京大機械翻訳】
Conducted immunity of Bandgap in SOI technology after electrical stress aging
Wu J.
(College of Electronic Science, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Zhang H.
(Tianjin Binhai Civil-military Integrated Innovation Institute, Tianjin, China)
,
Wang H.
(College of Electronic Science, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Zheng L.
(College of Electronic Science, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Li B.
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： EMC/APEMC ページ： 692-694 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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