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文献
J-GLOBAL ID：201802286248097013
整理番号：18A0152445
3D抵抗メモリアレイにおける相補性スイッチング【Powered by NICT】
Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array
Banerjee Writam
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China)
,
Banerjee Writam
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Banerjee Writam
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
,
Xu Xiaoxin
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China)
,
Xu Xiaoxin
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Xu Xiaoxin
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
,
Lv Hangbing
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China)
,
Lv Hangbing
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Lv Hangbing
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
,
Liu Qi
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China)
,
Liu Qi
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Liu Qi
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
,
Long Shibing
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China)
,
Long Shibing
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Long Shibing
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
,
Liu Ming
(Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China)
,
Liu Ming
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Liu Ming
(Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 3 号： 12 ページ： ROMBUNNO.201700287 発行年： 2017年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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