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文献
J-GLOBAL ID：201802286412933020
整理番号：18A1260694
TCADシミュレーションを用いたゲートオールアラウンドMOSFETリング発振器の電気特性【JST・京大機械翻訳】
Electrical characteristics of gate-all-around MOSFET ring oscillators using TCAD simulation
Kim Sutae
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics)
,
Kim Minsuk
(Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Woo Sola
(Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Kang Hyungu
(Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
,
Kim Sangsig
(Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： VLSI-TSA ページ： 1-2 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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