文献
J-GLOBAL ID:201802286530484024
整理番号:18A0446716
1.2kV級4H-SiCスイッチMOSにより達成された低オン抵抗を持つ体PiNダイオード不活性化【Powered by NICT】
Body PiN diode inactivation with low on-resistance achieved by a 1.2 kV-class 4H-SiC SWITCH-MOS
著者 (9件):
Kobayashi Yusuke
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto, Nagano, Japan)
,
Ohse Naoyuki
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto, Nagano, Japan)
,
Morimoto Tadao
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Kato Makoto
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan)
,
Kojima Takahito
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto, Nagano, Japan)
,
Miyazato Masaki
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto, Nagano, Japan)
,
Takei Manabu
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto, Nagano, Japan)
,
Kimura Hiroshi
(Fuji Electric Co., Ltd., Matsumoto, Nagano, Japan)
,
Harada Shinsuke
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEDM
ページ:
9.1.1-9.1.4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)