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文献
J-GLOBAL ID：201802286558384821
整理番号：18A1620737
表面電子受容体として真空アニーリングとV_2O_5を用いたAl_2O_3/H-ダイヤモンドMOSFETの性能向上【JST・京大機械翻訳】
Performance Enhancement of Al2O3/H-Diamond MOSFETs Utilizing Vacuum Annealing and V2O5 as a Surface Electron Acceptor
Macdonald David A.
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Crawford Kevin G.
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
,
Tallaire Alexandre
(LSPM-CNRS, Universite ́ Paris 13, Villetaneuse, France)
,
Issaoui Riadh
(LSPM-CNRS, Universite ́ Paris 13, Villetaneuse, France)
,
Moran David A. J.
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 39 号： 9 ページ： 1354-1357 発行年： 2018年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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