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文献
J-GLOBAL ID：201802286599631469
整理番号：18A1211094
高速低電力および高雑音イミュニティレベルシフタを持つGaNデバイス用の高電圧ハーフブリッジゲート駆動回路【JST・京大機械翻訳】
A high-voltage half-bridge gate drive circuit for GaN devices with high-speed low-power and high-noise-immunity level shifter
Ming Xin
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Zhang Xuan
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Zhang Zhi-wen
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Feng Xu-dong
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Hu Li
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Wang Xia
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Wu Gang
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Zhang Bo
(State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ISPSD ページ： 355-358 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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