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文献
J-GLOBAL ID：201802286956264626
整理番号：18A1253107
ハイブリッド無機/有機半導体界面エネルギー準位に及ぼす表面状態とバルクドーピングレベルの影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of surface states and bulk doping level on hybrid inorganic/organic semiconductor interface energy levels
Schultz T.
(Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany)
,
Niederhausen J.
(Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Albert-Einstein-Strasse 15, 12489 Berlin, Germany)
,
Schlesinger R.
(Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany)
,
Sadofev S.
(Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany)
,
Koch N.
(Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 123 号： 24 ページ： 245501-245501-5 発行年： 2018年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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