文献
J-GLOBAL ID:201802287791523363
整理番号:18A0968438
(201)β-Ga_2O_3上のALD HfO_2高k誘電体の電気特性評価【JST・京大機械翻訳】
Electrical characterization of ALD HfO2 high-k dielectrics on (201) β-Ga2O3
著者 (7件):
Shahin David I.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA)
,
Tadjer Marko J.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA)
,
Wheeler Virginia D.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA)
,
Koehler Andrew D.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA)
,
Anderson Travis J.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA)
,
Eddy Charles R. Jr.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA)
,
Christou Aris
(Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
112
号:
4
ページ:
042107-042107-5
発行年:
2018年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)