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文献
J-GLOBAL ID：201802287806218324
整理番号：18A0163333
CMOS45nm技術におけるtrng応用のための拡散ビット発生器モデル【Powered by NICT】
Diffused bit generator model for trng application at CMOS 45nm technology
Rajagopalan Sundararaman
(School of EEE, SASTRA University)
,
Rethinam Sivaraman
(School of EEE, SASTRA University)
,
Lakshmi Govindu
(School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India)
,
Mounika Police
(School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India)
,
Vani Ravulapenta
(School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India)
,
Chandana Dasari
(School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICMDCS ページ： 1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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