文献
J-GLOBAL ID:201802288222865042
整理番号:18A1149833
短チャネル非晶質InGaZnO薄膜トランジスタのパラメータ抽出法に関する包括的研究【JST・京大機械翻訳】
Comprehensive investigation on parameter extraction methodology for short channel amorphous-InGaZnO thin-film transistors
著者 (2件):
Tanaka Chika
(Future Memory Development Department, Device Technology Research & Development Center, Institute of Memory Technology Research & Development, Toshiba Memory Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
,
Ikeda Keiji
(Future Memory Development Department, Device Technology Research & Development Center, Institute of Memory Technology Research & Development, Toshiba Memory Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ICMTS
ページ:
23-26
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)