文献
J-GLOBAL ID:201802288287356784
整理番号:18A0969182
準バリスティックIII-窒化物高電子移動度トランジスタの解析的電流-電圧モデル【JST・京大機械翻訳】
An analytic current-voltage model for quasi-ballistic III-nitride high electron mobility transistors
著者 (2件):
Li Kexin
(Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, New York 11201, USA)
,
Rakheja Shaloo
(Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, New York 11201, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
123
号:
18
ページ:
184501-184501-13
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)