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文献
J-GLOBAL ID：201802288971237438
整理番号：18A0243032
SiGeH BTにおける垂直超接合コレクタの設計に及ぼす制限効果【Powered by NICT】
Limiting Effects on the Design of Vertical Superjunction Collectors in SiGe HBTs
Wier Brian R.
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Raghunathan Uppili S.
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Fleetwood Zachary E.
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Oakley Michael A.
(Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Joseph Alvin J.
(GLOBALFOUNDRIES, Essex Junction, VT, USA)
,
Jain Vibhor
(GLOBALFOUNDRIES, Essex Junction, VT, USA)
,
Cressler John D.
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 2 ページ： 793-797 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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