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文献
J-GLOBAL ID：201802289051059951
整理番号：18A1210953
積層HfOx/ZrY/HfOx MOSFETの劣化と回復の観察【JST・京大機械翻訳】
Observation of degradation and recovery of stacked HfOx/ZrOy/HfOx MOSFETs
Chang Chih-Chieh
(Inst. of Mechatronic Engineering)
,
Sung Shun-Ping
(Inst. of Mechatronic Engineering)
,
Huang Heng-Sheng
(Inst. of Mechatronic Engineering)
,
Chen Shuang-Yuan
(Inst. of Mechatronic Engineering)
,
Wang Shea-Jue
(Dept. of Materials and Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei 10608, Taiwan)
,
Wang Mu-Chun
(Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ISNE ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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