文献
J-GLOBAL ID:201802289055159014
整理番号:18A0728884
短時間フラッシュランプアニーリングにより達成された高活性化到達過飽和【JST・京大機械翻訳】
High activation reaching supersaturation achieved by short-duration flash lamp annealing
著者 (8件):
Tanimura Hideaki
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Inoue Kenji
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Kawarazaki Hikaru
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Yamada Takahiro
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Fuse Kazuhiko
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Aoyama Takayuki
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Kato Shinichi
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Kobayashi Ippei
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IWJT
ページ:
1-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)