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文献
J-GLOBAL ID：201802289172080476
整理番号：18A0150993
ジルコニウム酸化物ゲート誘電体を用いたマグネトロンスパッタリングにより成長させた室温処理ZnO薄膜トランジスタ【Powered by NICT】
Room Temperature Processed ZnO Thin Film Transistors Grown by Magnetron Sputtering Using Zirconium Oxide Gate Dielectric
A. V. Ali Muhammed
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal University, Manipal 576104, India)
,
Kekuda Dhananjaya
(Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal University, Manipal 576104, India)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 12 ページ： ROMBUNNO.201700113 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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