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文献
J-GLOBAL ID：201802289512243879
整理番号：18A1212559
6H-SiC(0001)上のSiドーピング超格子構造の光電特性【JST・京大機械翻訳】
Photoelectric Properties of Si Doping Superlattice Structure on 6H-SiC(0001)
Li Lianbi
(School of Science, Xi’an Polytechnic University, Xi’an 710048, China)
,
Zang Yuan
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
,
Hu Jichao
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
,
Lin Shenghuang
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China)
,
Chen Zhiming
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名：
Materials (Web)
(Materials (Web))
巻： 10 号： 6 ページ： 583 発行年： 2017年
JST資料番号： U7237A ISSN： 1996-1944 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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