文献
J-GLOBAL ID:201802289512243879
整理番号:18A1212559
6H-SiC(0001)上のSiドーピング超格子構造の光電特性【JST・京大機械翻訳】
Photoelectric Properties of Si Doping Superlattice Structure on 6H-SiC(0001)
著者 (5件):
Li Lianbi
(School of Science, Xi’an Polytechnic University, Xi’an 710048, China)
,
Zang Yuan
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
,
Hu Jichao
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
,
Lin Shenghuang
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China)
,
Chen Zhiming
(Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名:
Materials (Web)
(Materials (Web))
巻:
10
号:
6
ページ:
583
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7237A
ISSN:
1996-1944
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)