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文献
J-GLOBAL ID：201802289613041646
整理番号：18A1646031
神経形態プロセッサのための複合メモリスタダイオードクロスバに基づく3Dメモリマトリックス【JST・京大機械翻訳】
3D memory matrix based on a composite memristor-diode crossbar for a neuromorphic processor
Pisarev Alexander
(Research-Educational Center “Nanotechnology”, Tyumen State University, Volodarskogo st. 6, 625003 Tyumen, Russia)
,
Busygin Alexander
(Research-Educational Center “Nanotechnology”, Tyumen State University, Volodarskogo st. 6, 625003 Tyumen, Russia)
,
Udovichenko Sergey
(Research-Educational Center “Nanotechnology”, Tyumen State University, Volodarskogo st. 6, 625003 Tyumen, Russia)
,
Maevsky Oleg
(Nanodevices LTD, Voronezh, Russia)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 198 ページ： 1-7 発行年： 2018年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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