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文献
J-GLOBAL ID：201802289613879751
整理番号：18A0610152
La_2/3Sr_1/3VO_3薄膜:非常に高い性能指数をもつ新しいp型透明導電性酸化物【Powered by NICT】
La2/3Sr1/3VO3 Thin Films: A New p-Type Transparent Conducting Oxide with Very High Figure of Merit
Hu Ling
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Wei Renhuai
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Yan Jian
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Wang Dong
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Tang Xianwu
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Luo Xuan
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Song Wenhai
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Dai Jianmin
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Zhu Xuebin
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Zhang Changjin
(High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Zhang Changjin
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
,
Sun Yuping
(Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Sun Yuping
(High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
,
Sun Yuping
(Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 4 号： 3 ページ： ROMBUNNO.201700476 発行年： 2018年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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