文献
J-GLOBAL ID:201802289815391832
整理番号:18A0910947
側面X線照射モードを用いた効率的なX線-電流信号変換のためのウエハ上のシリコントレンチフォトダイオード
Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode
著者 (6件):
ARIYOSHI Tetsuya
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
TAKANE Yuta
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
IWASA Jumpei
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
SAKAMOTO Kenji
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
BABA Akiyoshi
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
ARIMA Yutaka
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
4S
ページ:
04FH04.1-04FH04.6
発行年:
2018年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)