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文献
J-GLOBAL ID:201802289815391832   整理番号:18A0910947

側面X線照射モードを用いた効率的なX線-電流信号変換のためのウエハ上のシリコントレンチフォトダイオード

Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode
著者 (6件):
ARIYOSHI Tetsuya
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
TAKANE Yuta
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
IWASA Jumpei
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
SAKAMOTO Kenji
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
BABA Akiyoshi
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
ARIMA Yutaka
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 57  号: 4S  ページ: 04FH04.1-04FH04.6  発行年: 2018年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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