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J-GLOBAL ID:201802289867329320   整理番号:18A1489863

HFトップ電極によるHfO_2ベース抵抗メモリにおける増強磁気変調【JST・京大機械翻訳】

Enhanced magnetic modulation in HfO2-based resistive memory with an Hf top electrode
著者 (5件):
Guo Jiajun
(College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)
Kang Xin
(College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)
Gao Yingjie
(College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)
Chen Wei
(College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)
Zhao Xu
(College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 113  号:ページ: 043502-043502-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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