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文献
J-GLOBAL ID:201802289944956078   整理番号:18A1899163

電子および正孔電流を別々に測定することによるIGBTにおける注入増強効果の検証【JST・京大機械翻訳】

Verification of the Injection Enhancement Effect in IGBTs by Measuring the Electron and Hole Currents Separately
著者 (18件):
Hoshii T.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Furukawa K.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Kakushima K.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Watanabe M.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Shigvo N.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Saraya T.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Takakura T.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Ltou K.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Fukui M.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Suzuki S.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Takeuchi K.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Muneta I.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Wakabayashi H.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Nishizawa S.
(Kyushu University, Fukuoka, Japan)
Tsutsui K.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Hiramoto T.
(The Universitv of Tokvo, Tokvo, Janan)
Ohashi H.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)
Lwai H.
(Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2018  号: ESSDERC  ページ: 26-29  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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