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文献
J-GLOBAL ID：201802290030206551
整理番号：18A0910800
表面活性化接合を用いたp-Si/n-4H-SiCヘテロ界面を横切る少数電子の輸送特性
Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMIZU Sae
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHINGO Masato
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
SHIOJIMA Kenji
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
ARAI Manabu
(New Japan Radio Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 2S1 ページ： 02BE04.1-02BE04.5 発行年： 2018年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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