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文献
J-GLOBAL ID：201802290274117277
整理番号：18A1059363
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの絶縁破壊特性に及ぼす円形電極コーナーの影響
Impact of rounded electrode corners on breakdown characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
YAMAZAKI Taisei
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
ASUBAR Joel T.
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
TOKUDA Hirokuni
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KUZUHARA Masaaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 5 ページ： 054102.1-054102.5 発行年： 2018年05月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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