文献
J-GLOBAL ID:201802290289139672
整理番号:18A1378329
P-195: 水素プラズマドーピングを用いた可視光検出のためのインジウムガリウム亜鉛オキシドフォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】
P-195: Late-News Poster: Indium Gallium Zinc Oxide Phototransistor for Visible Light Detection Using Hydrogen Plasma Doping
著者 (5件):
Kang Byung Ha
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea)
,
Kim Won-Gi
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea)
,
Chung Jusung
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea)
,
Lee Jin Hyeok
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea)
,
Kim Hyun Jae
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea)
資料名:
Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)
(Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻:
49
号:
1
ページ:
1280-1283
発行年:
2018年
JST資料番号:
E0907A
ISSN:
0097-966X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)