文献
J-GLOBAL ID:201802290460630396
整理番号:18A0265929
非平衡電荷キャリアを持つGeSi/Si量子ドットの温度占有率減少【Powered by NICT】
Temperature depopulation of the GeSi/Si quantum dots with non-equilibrium charge carriers
著者 (6件):
Sofronov A.N.
(Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia)
,
Vorobjev L.E.
(Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia)
,
Firsov D.A.
(Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia)
,
Balagula R.M.
(Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia)
,
Tonkikh A.A.
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, Germany)
,
Tonkikh A.A.
(Institute for Physics of Microstructures RAS, GSP-105, Nizhny Novgorod, 603950, Russia)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
107
ページ:
228-233
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)