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文献
J-GLOBAL ID：201802290495207930
整理番号：18A1758425
少量の酸化ラジカルを含む水素ラジカルを用いたKrFおよびArFフォトレジスト用ポリマの除去
Removal of Polymers for KrF and ArF Photoresist Using Hydrogen Radicals Containing a Small Amount of Oxidizing Radicals
Yamamoto Masashi
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
,
Taki Tomohiro
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
,
Sunada Takuto
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
,
Shikama Tomokazu
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
,
Nagaoka Shiro
(Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College)
,
Umemoto Hironobu
(Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University)
,
Horibe Hideo
(Graduate School of Engineering, Osaka City University)
資料名：
Journal of Photopolymer Science and Technology
(Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 31 号： 3 ページ： 419-424(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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