文献
J-GLOBAL ID:201802290597900069
整理番号:18A1596991
SiN_xベースの導電性ブリッジランダムアクセスメモリの抵抗スイッチング特性と信頼性【JST・京大機械翻訳】
Resistive Switching Characteristics and Reliability of SiNx-Based Conductive Bridge Random Access Memory
著者 (3件):
Lin Chun-An
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Dai Guang-Jyun
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Tseng Tseung-Yuen
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
65
号:
9
ページ:
3775-3779
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)