前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：201802290786669177 整理番号：18A1698767

光電気化学エッチングとポストメタライゼーションアニーリングにより作製したリセスゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)

Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Prepared by Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing

著者 (5件)：

UEMURA Keisuke

(Hokkaido Univ., JPN)

DEKI Manato

(Nagoya Univ., JPN)

HONDA Yoshio

(Nagoya Univ., JPN)

AMANO Hiroshi

(Nagoya Univ., JPN)

SATO Taketomo

(Hokkaido Univ., JPN)

資料名：

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻： 79th ページ： ROMBUNNO.19p-CE-4 発行年： 2018年09月05日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM