文献
J-GLOBAL ID:201802290844963229
整理番号:18A1144372
1×nmバルクFinFET技術におけるフリップフロップのソフトエラー率の技術スケーリング傾向【JST・京大機械翻訳】
Technology Scaling Trend of Soft Error Rate in Flip-Flops in $1¥times$ nm Bulk FinFET Technology
著者 (6件):
Uemura Taiki
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Lee Soonyoung
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Monga Udit
(Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Choi Jaehee
(Semiconductor Research and Development Center, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Lee Seungbae
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
,
Pae Sangwoo
(Samsung Foundry Business, Samsung Electronics, Co., Ltd., Yongin, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
65
号:
6
ページ:
1255-1263
発行年:
2018年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)