文献
J-GLOBAL ID:201802291089170541
整理番号:18A0448022
次元MOSFETモデルに基づくしきい値以下勾配の比較【Powered by NICT】
Comparison of sub-threshold slope based on two-dimensional MOSFET models
著者 (2件):
Zhang Manhong
(North China Electric Power University, Beijing, China)
,
Yu Jian
(North China Electric Power University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ITNEC
ページ:
344-347
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)